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为什么现在CMOS传感器成为热点
作者:大槻 智洋 等  来源于:日经BP社技术在线  发布时间:2005-10-4 4:03:50

  【日经BP社2005年4月27日报道】 原标题:“ 为什么现在CMOS图像传感器开始成为热点?”

       装配在手机和数码相机等产品上的图像传感器可以说是这些产品的“电子眼”,目前,图像传感器的产业结构目前正面临着一个重大转折。也就是说到目前为止占据主流之位的CCD有可能被CMOS/MOS传感器(以下简称CMOS传感器)夺走。比如,索尼和松下电器产业已经开始将图像传感器业务的重点向CMOS传感器方向转移。表面上两公司图像传感器业务的大部分利润仍来自CCD产品,给人以缓慢过渡的感觉。但其实开发一线为了与海外厂商竞争,已将相当一部分开发资源投入到了CMOS传感器上。

  近来CMOS图像传感器受到重视的首要原因在于过去大大低于CCD的灵敏度问题逐步得到解决的缘故。比如,此前一直领先图像传感器技术创新的索尼与松下电器产业于2004年就发表了包括灵敏度在内产品性能比过去大幅提升的CMOS传感器技术与产品。进一步值得关注的是美国美光科技等“新兴”海外厂商在CMOS传感器领域也取得了稳步的技术进步。

  对于CMOS传感器的飞速发展,海外手机厂商也起了很大的作用。过去,日本厂商是图像传感器的最大用户,出于对画质的追求喜欢使用CCD。但海外手机厂商却不向日本厂商那样对画质过于讲究。CMOS传感器厂商就趁此商机扩大产量,并以此推动了后续的技术开发。

  一旦在灵敏度方面赶上CCD,各公司倾尽全力开发CMOS传感器也就不难理解了,因为与CCD相比,CMOS传感器具有更好的量产性,而且容易实现包括其他逻辑电路在内的SoC产品,而这在CCD中却很难实现。尤其是CMOS传感器不像CCD那样需要特殊的制造工艺,因此可直接使用面向DRAM等大批量产品的生产设备也是其一大优点。这样一来,CMOS图像传感器就有可能形成完全不同于CCD图像传感器的成本结构。为此拥有压倒性内存生产能力的韩国三星电子正在快速进行CMOS传感器的量产准备工作。观察一下日渐人气的CMOS传感器,不免令人想起在混合信号LSI市场的推动下,最近正在迅速取代GaAs技术与硅双极技术的RF CMOS技术。

  尽管CMOS图像传感器势头正健,但竞争对手的CCD开发人员也没有停止开发。回顾一下半导体的发展史就会发现,在新技术不断发展的刺激下,现有技术取得新进步的事例并不鲜见。闪存EEPROM对MRAM,英特尔低耗电版产品对全美达的低耗电微处理器“Crusoe”,等等,可谓不胜枚举。CMOS传感器与CCD今后必将在相互竞争的过程中,不断实现技术进步。(记者:大槻 智洋)

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相关报道1:瞄准NO.1!松下推出抖动补偿3M像素相机模块 

  【日经BP社2004年12月13日报道】松下集团旗下从事相机模块开发的Panasonic SC元件解决方案公司将从2005年3月起量产供应有效像素318万的手机相机模块“GP-KM3500V”。该模块内置元件主要如下:1/3.2英寸MOS固体摄影元件“νMaicovicon”、负责色相调整等的图像处理LSI、机械快门、自动聚焦(AF)用压电式致动器、面向快门和AF用致动器进行电压转换等的“镜头接口IC”。目标价格是略低于使用CCD型固体摄影元件的相机模块。“不打算特别特先考虑松下电器产业集团的需求”(Panasonic SC元件解决方案公司)。

  此次的模块主要有3个特点。(1)实现了与摄像头同样的单帧VGA、30帧/秒的影像输出性能;(2)面向影像拍摄配备了电子抖动补偿功能。该功能的基本算法与松下电器产业前些年的得意之作--摄像头“BrainView”相同。另外,在面向静态图片的光学抖动补偿方面,“正在进行技术开发,以减小模块尺寸、提高抗冲击性”(Panasonic SC元件解决方案公司);(3)将模块高度(光轴方向的尺寸)减至8.63mm。比目前带AF功能的200万像素模块还薄。

  实现8.63mm高度的4大关键技术如下。(a)将摄影元件的像素间距减至2.225μm,为业界手机相机模块最小。由于减小了应该照射光线的面积,所以镜头后端与摄影元件间的距离(后焦点)。由于此次通过这一方法大大缩短了后焦点,因此此前的图像周边光量不足通过(b)调整摄影元件上方的芯片级微镜头的位置,以及(c)图像处理LSI的光斑补偿而得以解决。而且(d)还取消了光学低通过滤波器。通常情况下容易出的伪色也通过信号处理而减小了。(d)像素间隔仅2.225μm的摄影元件的使用中面临的光轴调整问题也因为名为MID的接口的设计和制造工艺的调整而得以解决。

目标是获得全球市场25%以上的份额

  Panasonic SC元件解决方案公司计划以此次的相机模块为中心,迅速扩大业务规模。首先,该公司将在2005年内将相机模块的生产能力提高至500万个/月。2007年在百万像素以上的相机模块市场上获得25%~30%的份额。2007年整个公司的销售额目标为1100亿日元(约合人民币85亿元)。将力争在手机及汽车像机模块,以及便携终端麦克风共3大领域均获得全球第一的市场份额。该公司2003年度下半年的销售额为246亿日元(约合人民币19亿元)。(记者:大槻 智洋)





即使表示镜头亮度的F值为4.0,照度为10lx,也可拍摄出精美照片(这里的图像将1600×1200万像素文件减小到了450×388像素)。

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相关报道2:松下像素间隔仅2.0μm的MOS型摄影元件 

  【日经BP社2005年2月14日报道】松下电器产业开发出像素间隔仅2.0μm的MOS型摄影元件,并在ISSCC 2005上做了发表。在已经公开发布的CMOS/MOS型摄影元件中像素间隔最小。该公司在去年的ISSCC上发表了像素间隔为2.25μm的MOS型摄影元件。当时每个像素的晶体管平均数为1.75个。而此次,通过取消像素选择用的晶体管,将每个像素的平均晶体管数量减少到了1.5个。同时,进一步将0.25μm的设计规格细化到了0.15μm。基此,将开口率提高到了30%,比原来高出5个百分点。

  此次的试制品的另一个特点是:色彩过滤器使用了非晶硅。据该公司介绍,色彩过滤器采用非晶硅有望降低生产成本。普通的摄影元件要在芯片上封装混有颜料等的薄膜。各像素上的非晶硅色彩过滤器的厚度分3种,根据透过这些过滤器的光、通过信号处理来抽取RGB成份。(记者:大槻 智洋)

  试制品的主要规格如下:

像素间隔 2.0μm
像素数 1600×1200画素
每个像素的平均晶体管数 1.5个
色彩过滤器 非晶硅材料,厚度不足100nm
该公司测定条件下的输出 3400电子
饱和输出 4500电子
开口率 30%
输出信道 4信道

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相关报道3:美光06年推出1.7μm间隔CMOS传感器 有望一举超越日本厂商

  【日经BP社2005年5月18日报道】美国美光科技公司(Micron Technology)日前宣布,将推出像素间隔仅1.7μm的CMOS摄影元件(CMOS传感器)。假如将摄影部分的尺寸定为适合手机采用的1/3.2英寸(对角长度5.6mm),那么总像素数将达到526万。预计2006年投入量产。

  假如能够投产1.7μm间隔产品,美光将有可能在缩小像素间隔的竞争中超越日本摄影元件厂商。日本国内很多摄影元件厂商都将2006年时的像素间隔设定为1.8μm。而且部分日本厂商还认为缩小像素间隔的竞争基本上在1.8μm这种程度就将结束。

  美光2001年11月收购美国Photobit科技公司后,开始涉足CMOS传感器业务。此后,其生产也由外包方式转为自产。通过开发光线易于入射二极管的结构,提高了产品质量。开发基地就位于东京大田区,并且使用有日本技术人员。(记者:大槻 智洋)


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相关报道4:开口率提高1倍!三星开发出2.25μm像素间隔CMOS传感器

  【日经BP社2005年9月14日报道】韩国三星电子日前发布了像素间隔仅2.25μm,而开口率却高达55%以上的CMOS摄影元件(CMOS晶体管)(发布资料)。该元件摄影部分对角长度为1/2英寸(约8mm),集成了约720万个像素。上市日期未予公布。

  在像素间隔不足2.5μm的摄影元件中,开口率一般为25%左右。开口率越高,相应地就越容易提高摄影元件输出信号的级别。据悉,三星电子在此次开发的产品中使用了铜布线。在CMOS传感器中使用铜布线的试制品,曾由美国IBM和柯达组成的研究小组在2005年6月9日~11日召开的“2005 IEEE Workshop on Charge-Coupled Devices and Advanced Image Sensors(CCD&AIS)”国际会议上发表过。

  在同一个会议上,三星电子发表了开口率高达约50%、像素间隔为2.0μm的CMOS传感器试制结果。不过,并没说是否使用了铜布线,只是表示为了提高开口率,“将布线宽度缩小到了90nm或130nm”。(记者:大槻 智洋)


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相关报道5:夏普开发出明暗比提高1万倍的CMOS

  【日经BP社报道】夏普开发出将明暗比提高到以往CCD影像传感器的1万倍以上的CMOS影像传感器。这一消息是该公司于2003年4月14日公布的。与人类的眼睛一样,新开发的影像传感器具有遵循对数曲线识别光强度的摄像特性。由于这一特性不会发生当明暗比较大时所产生的“白色崩溃”及“黑色崩溃”等现象,因此在各种条件下均能够使被拍摄物体的图像非常清晰。

照片左为以往的CCD,照片右为新开发的CMOS影像传感器


  预计新的图像传感器将主要用于工业、车载、机器人以及监视摄像机等用途。目前只支持单色摄影,不过在技术上也可以支持彩色摄影。夏普表示计划在2004年内开始批量生产。

  新的图像传感器的主要规格如下。外形尺寸为1/2英寸,有效分辨率为640×480点阵,电源电压为3.3V,可以摄像的传感器面照度在0.01~10万勒克斯之间,在全框架(Full Frame)下的最高帧刷新率为45帧/秒。

  夏普表示,利用新的图像传感器将可以拍摄诸如“面对夕阳的景色”、“隧道内外”,“确认位于对面的汽车前灯后方的物体”等明暗比极大的场面。(记者:武部 健一)


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